Analisis Celah Energi Lapisan Tipis Ba0,75Sr0,25TiO3 pada Substrat Kaca Indium Tin Oxide (ITO) dan Substrat Si (100) Tipe-P
Kinanthi Freda Bhanuwati (1*), Ajat Sudrajat (1), Novia Fransiska Simbolon (1), Dea Widiawati (1), Renny Apriani Dwika Saputri (1), Habibah Assa^addah (1), dan Irzaman (1)

1) Departmen Fisika, FMIPA, IPB University, Bogor, Indonesia, 16680
*E-mail: kinanthifredabhanuwati[at]apps.ipb.ac.id

Abstract

Lapisan tipis Ba0,75Sr0,25TiO3 pada substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) dan Substrat Si (100) Tipe-P telah berhasil dibuat dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dengan kelarutan 0,5 M yang dibantu dengan spin coating 3000 rpm, dan annealing pada suhu 550&#8451- dengan kelajuan suhu 100 &#8451-/jam yang ditahan selama 16 jam dan suhu pendinginan hingga suhu kamar. Substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) dengan ketebalan kaca 1,1 mm dan resistivitas ~20 ohm/sq serta resistivitas Si tipe-P ~10 ohm/sq. Lapisan tipis ini diuji sifat optiknya menggunakan Spektrofotometer UV-Vis dengan rentang 230 - 850 nm menghasilkan celah energi sebesar 2,84 eV di atas substrat Indium Tin Oxide (ITO) dan menghasilkan celah energi sebesar 2,24 eV di atas substrat Si (100) Tipe-P. Analisis celah energi pada lapisan tipis Ba0,75Sr0,25TiO3 pada substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) dan di atas substrat Si (100) Tipe-P sangat penting karena lapisan ini merupakan cikal bakal sensor tekanan.

Keywords: Analisis Energy Gap- Film Tipis- Ba0,75Sr0,25TiO3- Substrat ITO- Substrat Si (100) Tipe-P

Topic: Material Physics